（5）激光元器件和支撑技术有了突破性提高，标签激光打标机，如低吸收高均匀性钕玻璃熔炼工艺、高能脉冲氙气、高强度介质膜、大口径（1.2米）光学精密加工等。（6）培养和造就 了一批技术骨干队伍。1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率10（上标10）瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。
这种冷加工在激光标记加工中具有特殊的意义，因为它不是热烧蚀，而是不产生热损伤副作用的、打断化学键的冷剥离，因而对被加工表面的里层和附近区域不产生加热或热变形等作用。例如，电子工业中使用准分子激光器在基底材料上沉积化学物质薄膜，在半导体基片上开出狭窄的槽。不同标记方法的比较与喷墨打标法相比，激光打标雕刻的性在于：应用范围广，标签激光打标机设备，多种物质（金属、玻璃、陶瓷、塑料、皮革等）均可打上的高标记。对工件表面无作用力，不产生机械变形，标签激光打标机软件，对物质表面不产生腐蚀。
同时其产生的废热也远远小于灯泵浦激光器，标签激光打标机配件，决定了其不需要灯泵浦激光器那样庞大的冷却系统。所以半导体泵浦的激光器系统的功耗比灯泵浦小得多。一个50w的灯泵浦激光打标机的功耗在6kw左右，而一个50w半导体激光标记机的功耗只在2kw左右，以三年为例，---工作24小时，一个月工作28天，一度工业用电1.1元，光耗电一项，一台半导体激光器就比一台灯泵浦激光器节省（6-2）kw*24小时*28天*12月*3年*1.1/度=10.645万 元。
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